传Intel2021年用上台积电6nm2022年直接上马3nm工艺

在半导体工艺上，Intel的10nm现已量产，可是官方也表态其产能不会跟22nm、14nm那样大，这或许是一个重要的信号。此前业界屡次传出Intel也会外包芯片给台积电，最新爆料称2022年Intel也会上台积电3nm。

来自业界音讯人士@手机晶片达人的爆料称，Intel估计会在2021年大规模运用台积电的6nmn工艺，现在正在制作光罩（Mask）了。

在2022年Intel还会进一步运用台积电的3nm工艺代工。

在更早的爆猜中，手机晶片达人指出Intel 2021年开端外包外公的主要是GPU及芯片组，还正告说2021年苹果、海思、Intel及AMD会让产能十分严重。

假设Intel真的计划扩展外包，除了现已部分外包的芯片组之外，首战之地的便是GPU，由于GPU相对CPU制作来说更简略一些，并且台积电在GPU制作上很有经历。

结合之前的音讯来看，Intel的Xe架构独显DG1运用的是自家10nm工艺制作，今年底上市，具有96组EU履行单元，一共是768个中心，根底频率1GHz，加快频率1.5GHz，1MB二级缓存以及3GB显存，TDP为25W。

估计DG1的性能与GTX950适当，比GTX 1050则差了15%左右，整体定位不高，合适高能效范畴，尤其是笔记本GPU。

DG1之后还会有DG2独显，这便是一款高性能CPU了，之前爆料DG2会用上台积电的7nm工艺，现在来看应该是7nm改良版的6nm工艺了。

不过2021年Intel自己的7nm工艺也会量产，官方早已宣告用于数据中心的Ponte Vecchio加快卡会运用自家的7nm EUV工艺。